Memoria RAM

ê  Definición: Esta memoria puede leer y escribir sobre si misma por lo que, es la memoria que utilizamos para los programas y aplicaciones que utilizamos día a día. Es de acceso aleatorio o directo, esto significa que se puede leer y escribir cuando uno quiera. Está destinada a contener los programas cambiantes del usuario y los datos que se vallan necesitando durante la ejecución, es volátil, esto significa que cuando se apga el pc se pierde toda la informacion.

  Tiempo de refresco o latencia: son diferentes retardos que se producen al acezar a los distintos componentes que nos ofrece la memoria RAM.

 Tiempo de acceso:se considera tiempo de acceso a la memoria desde el momento que se le da una orden hasta cuando esta orden esta lista para ser utilizada.

Buffer de datos: es la parte que utiliza el sistema operativo o algún software para realizar un trabajo o un proceso más rápido. Es la cantidad de memoria que se usa temporalmente.

 Paridad: la paridad en la memoria significa que los simms tienen que ser de la misma capacidad cada par, por ejemplo: 508,508 y 909,909.

 Estructura física de la memoria: está constituida por millones de bits que pueden ser accedidos para lectura y escritura e grupos de 8 Bytes mediante una dirección.

Memoria base: desde 0 a 640Kb en esta zona se almacena la mayoría de programas que el usuario utiliza.

Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024Mb, cargas las estructuras llamadas páginas de intercambio de información y unos bloques de memoria llamados UMB.

Bloques UMB (Upper memory blocks): son espacios asignados para el sistema de la memoria superior.

Memoria expandida: es la memoria paginada que se
 asigna a programas en memoria superior.

Memoria extendida: de 1.024 Mb hasta 2 Gb, aquí se cargan todas las aplicaciones que no caben en la memoria base.

 

• Porque la memoria RAM es volátil y aleatoria:
•  La memoria RAM es volátil ya que solo retiene los datos cuando el pc esta prendido, cuando apagamos el pc se pierde todo lo que había en ella. Es aleatoria porque se puede leer o escribir en el orden que deseemos y no vamos a tener ningún problema para obtener la información que necesitemos.

• Como se almacena informacion en una memoria RAM:
• En  la memoria RAM unicamente se almacena informacion o datos a corto plazo, osea que mientras que estamos utilizando los archivos se guardan en la memoria RAM, cuando dejamos de usar el archivo estos se regresan al sector de almacenamiento o se eliminan.

• Tipos de memoria RAM: sincronas y asincronas:

• Se dice que cuando la proporcion entre el FSB y la RAM sea de 1 a 1 esto es, 1:1,2:2... etc. ese le llama modo sincrono y es cuando mas rendimiento obtenemos ya que a medida que se valla accediendo a los datos de la memoria estos iran siendo procesados por el microprosesador. La opcion de modo asincrono la utilizamos cuando la memoria RAM no nos permite trabajar a la misma velocidad que el FSB de el microprocesador.

• Modulos de memoria RAM (DIP,SIPP,SIMM,DIMM,RIMM): 
• Los modulos de la memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o las dos caras.

DIP: (dual in-line package) se presenta siempre en zocalos, nunca soldada  estan ubicados furmando grupos y estan alineados en el mismo sentido, todos los chips son del mismo tipo.

SIPP: Estos tienen un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito que encajan con los bancos de coneccion de la placa base, proporciona 4 bits por modulo, fue reemplazada por la SIMM.

SIMM: (single in line memory module) Descontinuado de 30 y 72 pines o contactos, el de 30 contactos tenia capacidad de 4MB, 8MB o 16MB. El de 72 manejaba un bus de 32 bits y tenia mas capacidad que la de 30. Almacenaba palabras de 8 bits en cada posicion de memoria.

• DIMM: (dual in line memory module) tiene 168 pines de conexion a lado y lado del borde, almacena palabras binarias de 64 bit por cada direccion de almacenamiento. Es el modulo mas utilizado para las memorias SDR y DDR SDRAM.

• RIMM: (rambus in line memory modules) Existen modulos de 16 bits con 184 contactos, tiene 2 muescas.

 Existen mudulos de 32 bits con 232 contactos, tiene 1 muesca.

• Modulos RAM para portatiles: SO-DIMM, MICRODIMM Y SO-RIMM:

SO-DIMM: (SMALL OUTLINE DIMM) es una version compacta del DIMM utilizada principalmente para portatiles, viene de 72 y 144 pines.

• MICRODIMM: poseen solo 160 clavijas

• SO-RIMM: de 160 pines: la frecuencia de operacion es de 600/700/800 Mhz y tiene un voltaje de operaco de 2.5V.

Tecnologias (la cantidad de palabras de datos en bits, las velocidades de reloj que necesitan para poder trabajar y la cantidad de contactos que tiene el modulo).

MEMORIA ASINCRONA

Memoria DRAM:  Sus siglas significan abreviatura de Dinamic Random Access Memory= memoria dinamica de  acceso aleatorio.

Una  ventaja  es su precio bajo a comparacion de otras tecnologias mucho mas caras y complejas.

Una desventaja  es que se tiene que refrescar varias veces por segundo, ya que sólo un momento sin energía hará que todos los datos se pierdan. Por ello, estos chips consumen una gran cantidad de energía y requieren de un control constante. Durante el refresh el microprocesador no podra acceder a la memoria.

Las celdas de informacion estan compuestas por un condensador y un transistor,la velocidad de acceso es mas lenta.

FPM-RAM(Fast Page RAM):Sus siglas significan modo pagina rápida: memoria asíncrona, más rápida que la anterior que la DRAM y con velocidades de acceso de 70 ó 60 ns. se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.

EDO-RAM:  (Extended Data Output RAM) memoria asíncrona, esta memoria permite a la CPU acceder más rápido porque envía bloques enteros de datos; con velocidades de acceso de 40 ó 30 ns. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

BEDO-RAM: (Burst Extended Data Output RAM) memoria asíncrona, variante de la anterior, es sensiblemente más rápida debido a que manda los datos en ráfagas (burst). fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO.

MEMORIAS SINCRONAS:

Memoria SDRAM:sus siglas Representa la abreviatura de Static Random Access Memory.= memoria

No precisa de tanta electricidad como la anterior para su refresco y movimiento de las direcciones de memoria, por lo que, en resumidas cuentas, funciona más rápida.

Las celdas de informacion estan compuestas por flips o flops

SDR SDRAM: Sus siglas significan single data rate SDRAM,

Se sincronisa con el flanco de subida del reloj, maneja palabras binarias de 64    bits esta memoria funciona con un voltaje de 3.3v tiene un modulo de 168 contactos, y se puede identificar por que tiene dos muescas las cuales permiten conectarse de una sola formay en la ranuara correspondiente.

PC66: la velocidad de bus de memoria es de 66 Mhz  en un bus de 64bits  a una tensión de 3.3v y ofrece tasas de transferenciaosea el ancho de banda teorico es de hasta 533 Mb/s.. 66 PC está disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma. The theoretical bandwidth is 533 MB/s.




PC100: SDR SDRAM, :Es un estándar para el equipo interno removible de memoria de acceso aleatorio osea la memoria RAM, que se define por el Joint Electron dispositivo Consejo de Ingeniería (JEDEC). La velocidad de bus de memoria es de 100 Mhz y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 Mb/s. Memoria  síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bits de ancho de bús 64bits , con un voltaje de 3,3 V.

PC133: SDR SDRAM: La velocidad de bus de memoria es de 133 Mhz y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 Mb/s, está disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma. PC133 was the fastest and final SDRAM standard ever approved by the JEDEC, and delivers a bandwidth of 1066 MB per second ([133,33 MHz * 64/8]=1066 MB/s). Tambien es el estándar más rápido y última vez aprobado por el JEDEC, ([133,33 MHz * 64 / 8] = 1066 MB / s).

DDR SDRAM: Sus siglas sifnifica “Doble rate SDRAM” :Esta es similar a la SDRAM  pero esta transfiere el doble de datos uno por cada flanco del reloj del microprocesador osea uno por el flanco de subida y otro por el flanco de bajada y esta memoria funciona con un  voltaje de 2.5v y esta memoria maneja palabras binarias de 64bits. Tiene 184 contactos y se diferencia porque tiene una sola muesca ubicada en el centro del borde de contactos.

PC16OO o DDR2OO: Funciona a 2,5 V, trabaja a 200MHz, es decir 100MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 1,6 Gb/s (de ahí el nombre PC1600). Este tipo de memoria la utilizan los Athlon de AMD, y los últimos Pentium 4.


 PC 21OO ó DDR266: funciona a 3,3 V, trabaja a 266MHz, es decir 133MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,16 Gb/s (de ahí el nombre PC2100).

PC 27OO ó DDR333: funciona a 5 V, trabaja a 333MHz, es decir 166MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 Gb/s.

PC32OO o DDR4OO: Está diseñado para funcionar a 200 MHz usando chips DDR-400 con un ancho de banda de 3.200 MB / s. Because PC3200 memory is double-pumped, its effective clock rate is 400 MHz. Porque la memoria PC3200 es el doble de bombeo, su velocidad de reloj efectiva es de 400 MHz.

PC4800-DDR2-600

PC-42OO o DDR2-533(MB/s) : Funciona a un máx de 533 MHz

PC2-5300 o DDR2-667: Funciona a un máx de 667 MHz.

PC2-6400 o DDR2-800: Funciona a un máx de 800 MHz.

DDR3 SDRAM: Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Estas memorias tienen 24 pines igual que la DDR2 sin embargó las DIMM no son compatibles debido a una ubicación diferente de muescas .

Tecnologia de 80 nanometros utilizada en el diseño de DDR3 que permite mas bajas corrientes de operación y voltajes  1,5v comparados con los 1,8 DDR2 o los 2.5v DDR.

También existen las especificaciones DDR400, DDR466, DDR533 y DDR600 pero según muchos ensambladores es poco práctico utilizar DDR a más de 400MHz, por lo que está siendo sustituida por la revisión DDR2 de la cual sólo se comercializan las versiones DDR2-400 y DDR2-533.

RDRAM: es un tipo de memoria sincrona , su ancho de palabras es tan solo de 16 bits, trabaja a una velocidad de 400 Mhz, tiene modulos de 32 y 64 bits



XDR-DRAM: Fue diseñado para ser efectivos en sistemas pequeños y de alto desempeño. Se centra en el ancho de banda soportado por sus pines, lo que beneficia los costos de control en la producción del PCB , soportan una capacidad máxima de 1GB


XDR2 DRAM: son capaces de ofrecer transferencias de datos de hasta 9.6Gbps proveyendo 38.4GB/s de ancho de banda en un solo dispositivo de 4 bytes de ancho. permite una capacidad de memoria de sistema altamente escalable y granularidad de acceso, haciendo de XDR2 la solución ideal para una amplia gama de aplicaciones. Tiene un núcleo estándar de 8 bancos por lo tanto puede funcionar eficazmente como un dispositivo de memoria de 16 bancos.

 DRDRAM: (Direct Rambus DRAM) Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns, picos de varios Gb/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz.

SLDRAM: (SyncLink DRAM): Se basa, al igual que la DRDRAM, en un protocolo propietario, que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso no dependen de la sincronización de múltiples líneas, por lo que este tipo de memoria promete velocidades superiores a los 800 MHz, ya que además puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema.

SRAM: no necesita de tanta electricidad para su refresco y movimiento de las direcciones de memoria es por eso que funciona mas rápido, hay tres tipos:

Async SRAM: La memoria caché de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns.

Sync SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns.

Pipelined SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns.




ESDRAM (Enhanced SDRAM):

 Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores.EDRAM: tiene una latencia de 1,5 ns y un tiempo de ciclo aleatorio de 2 ns.

Memoria VRAM:

Esta es la memoria que utiliza nuestro controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento.

SGRAM:

Synchronous graphic RAM: Es un tipo de DRAM que se uso origianalmente en las tarjetas de video y aceleradoras graficas



 WRAM: (Window RAM) es un tipo de VRAM equipada con líneas separadas de lectura y escritura, que ofrece tiempos rápidos de acceso y es barata de producir.